Particles or ray detectors are devices with which detect, trace or distinguish high energy particles. One of these detectors is Gallium arsenide (GaAs). Difficulties in producing consistently the thick layers with sufficiently low doping required for adequate depletion depth (>100 µm), however, precluded further development. Then, there has …

نیترید گالیم ( به انگلیسی: Gallium nitride ) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب کم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن 83. 73 g/mol می باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید ( GaN ) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه III - V ...

گالیم آنتیمونید (به انگلیسی: Gallium antimonide) با فرمول شیمیایی GaSb یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۴۲۲۷۸۹۴ است. که جرم مولی آن ۱۹۱٫۴۸۳ g/mol می‌باشد.. جستارهای وابسته. ترکیب شیمیایی; نام‌گذاری اتحادیه بین‌المللی شیمی محض و ...

علاوه بر این، نیترید گالیم (GaN)، ترکیب دیگری که از گالیوم به دست می‌آید، در سال‌های اخیر شهرت یافته است. GaN در تولید دستگاه های پرقدرت، از جمله روشنایی حالت جامد، الکترونیک قدرت و کاربردهای ...

در صنعت اتومبیل و حمل‌ونقل، گالیوم نیترید دارد به تکنولوژی محبوب تولیدکنندگان برای واگردانی انرژی و شارژ باتری درون اتومبیل‌های الکتریکی و هیبریدی تبدیل می‌شود. محصولات مبتنی بر گالیوم ...

ساختار نوارهای الکترونیکی (باندهای انرژی) در مواد. در ساختار نوراهای انرژی برخی از نیم‌رسانا مثل گالیم آرسنید (GaAs)، علاوه بر باند هدایت و باند ظرفیت، یک نوار انرژی دیگری نیز در قسمت لایه هدایت و بالاتر از نوار هدایت ...

نشریه بیولوژی کاربردی » تابستان 1395 شماره 2. کلیدواژه: آشکارساز ، گالیم آرسناید ، کاربردها ، مزایا ، معایب. چکیده: Particles or ray detectors are devices with which detect, trace or distinguish high energy …

ترکیبات مرتبط دیگر آنیون‌ها: gallium(II) oxide سولفید گالیم(II) سلنید گالیم(II): دیگر کاتیون‌ها: zinc(II) telluride germanium(II) telluride indium(II) telluride: ترکیبات مرتبط تلورید گالیم(III) به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای ...

گالیم نیترید به‌‌دلیل نوار ممنوعه بزرگ‌تر، مزیت‌هایی درمقایسه‌با سیلیکون دارد. نوار ممنوعه دشواری نفوذ و عبور انرژی را از میان ماده اندازه‌گیری می‌کند. از خصوصیات GaN می‌توان به محدودیت ...

یدید گالیم (III) (به انگلیسی: Gallium(III) iodide) با فرمول شیمیایی Ga ۲ I ۶ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۴۵۰٫۴۳۶ g/mol می‌باشد.

به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa) (چیست: / ؟) Infobox references: تلورید گالیم. تلورید گالیم (III) (به ...

اکسید گالیم(III) (به انگلیسی: Gallium(III) oxide) با فرمول شیمیایی Ga ۲ O ۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۵۱۳۹۸۳۴ است. که جرم مولی آن ۱۸۷٫۴۴۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر بلورین سفید است.

در سال‌های اخیر با پیشرفت­‌‌های به دست آمده در رشد مواد، علاقة قابل ملاحظه‌ای در زمینة‌‌‌‌‌‌ نیم‌رساناهای مرکب گروه (III-V) به ویژه GaAs به وجود آمده است. سیلیکون مناسب‌ترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است ...

نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن 83.73 g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید (GaN) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه III-V با ...

در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از ...

گالیم آرسنید. گالیم آرسنید ( GaAs ) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیم رسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است. گالیم آرسنید در تولید افزاره هایی مانند مایکروویو ، دیودهای نورگسیلفروسرخ ...

یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (gaas) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در ...

گالیم استیل‌استونات، یا به صورت خلاصه Ga(acac) ۳، یک کمپلکس شیمیایی با فرمول Ga(C ۵ H ۷ O ۲) ۳ است. این کمپلکس گالیم با سه لیگاند استیل‌استونات در پژوهش‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرد. این مولکول با تقارن D ۳ ، با دیگر سه‌تایی ...

تغییرات اخیر; ویکی‌نویس شوید! راهنما; تماس با ویکی‌پدیا

حدود 95 درصد گالیم تولید شده برای ساخت ترکیب گالیم آرسنید استفاده می شود که در مدارهای مایکروویو و فروسرخ، نیمه هادی ها و ال‌ئی‌دی های آبی و بنفش کاربرد دارد.

گالیم آرسنید گالیم آنتیمونید: دیگر کاتیون‌ها: آلومینیم فسفید ایندیم فسفید: به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C ...

Cree's CGH40025 یک ترانزیستور تحرک الکترون نیترید گالیم (GaN) بی بدیل است. دارای ریل ۲۸ ولت برای انواع کاربردهای RF و مایکروویو. ... ذخیره نام، ایمیل و وبسایت من در مرورگر برای زمانی که دوباره دیدگاهی می ...

گالیم آرسنید یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیکا است. این ماده که نخستین بار در اواخر دهه‌ی 1920 میلادی به دست آمد ترکیبی از عنصرهای گروه‌های 3 و 5 جدول تناوبی عناصر است.

گالیوم نیترید در حال حاضر دیوایس‌هایی با ولتاژ بین ۸۰ الی ۹۰۰ ولت را پوشش می‌دهد و محققان سخت مشغول کار برای استفاده از آن در دیوایس‌هایی با ولتاژ پایین‌تر یا بالاتر از بازه مورد اشاره هستند.

در فرم کنونی، تبدیل گالیوم به گالیوم نیترید به کمک گرافین، نواقصی به همراه می‌آورد و مقیاس‌پذیری چندانی هم ندارد.

سیلیکون نیمه‌رسانا یا ماده‌ای است که می‌تواند یک مسدودکننده یا هادی باشد و این خاصیت قابل توجه باعث شده تبدیل به قلب ترانزیستورها شود، اما شاید «نیترید گالیم» در آینده جای آن را بگیرد.

خبر اصلی (۱۳ تیر ۱۴۰۲): چین صادرات گالیم و ژرمانیم، دو مورد از فلزات مهم در صنایع نیمه‌هادی، ارتباطات، انرژی خورشیدی و خودروی برقی را محدود کرده است. این اقدام از سوی چین، تنش تجاری با ایالات متحده و اروپا را تشدید می ...

دانلود و دریافت مقاله بررسی نظری جذب دی اکسید گوگرددر نانو قفس نیترید گالیم. ... در این زمینه فنآوری نانو طیف گستردهای از قابلیت ها و تکنولوژی را به منظور بهبود کیفیت فعلی محیطزیست و برطرف کردن ...

کیفیت بالا ویفر 8 اینچی AlGaN/GaN نیترید گالیم برای میکرو ال ای دی از چین, پیشرو چین است ویفر نیترید گالیم GaN تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق ویفر نیترید آلومینیوم برای میکرو ال ای دی کارخانه, تولید با کیفیت بالا ویفر آرسنید ...

و چرا به شارژر GaN نیاز دارید؟. برسی تکنولوژی نیترید گالیوم بجای سیلیکون. ویژگی‌های GaN شامل دمای بالاتر، قابلیت مدیریت توان بالا و تحرک 1000 برابر الکترون بیشتر در مقایسه با سیلیکون است ...